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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SIR484DP-T1-GE3 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    SIR484DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:20A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.3 毫歐 @ 17.2A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
    功率_最大:29.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:Digi-Reel®

    SIR484DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:20A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.3 毫歐 @ 17.2A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
    功率_最大:29.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:剪切帶 (CT)

    SIR484DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:20A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.3 毫歐 @ 17.2A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
    功率_最大:29.8W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:帶卷 (TR)

    SIR484DP-T1-GE3供應(yīng)商

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