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SI9933BDY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI9933BDY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9933BDY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI9933CDY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI9933CDY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI9933CDY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SR211A102JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 100V 5% RADIAL
SI9730DBY-T1-E3
PMIC - 電池管理 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC CONTROLLR LI-ION 4.32V 8SOIC
SG901-1059B-3.3-H
RF 收發(fā)器 Sagrad Inc 模塊 802.11 B/G/N WIRELESS USB MODULE
SRC4190IDB
線性 - 音頻處理 Texas Instruments 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC 192KHZ SAMPL RATE CONV 28SSOP
RT1206CRE0768K1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 68.1K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SR155A3R9CAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3.9PF 50V RADIAL
RT0805DRE0756K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 56.2K OHM 1/8W .5% SMD 0805
SLP153M010C1P3
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 15000UF 10V 20% SNAP
SR211A120KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 12PF 100V 10% RADIAL
SG901-1071-ET
RF 收發(fā)器 Sagrad Inc 模塊 RF TXRX WI-FI 802.11 2.45GHZ
RT1206CRE0768KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 68.0K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SR155A470KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
RT0805DRE0756R2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 56.2 OHM 1/8W .5% SMD 0805
SR211A121JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 120PF 100V 5% RADIAL
SLP153M016E1P3
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 15000UF 16V 20% SNAP

SI9933 全國供應商、價格、PDF資料