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    SI7909DN-T1-E3 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SI7909DN-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:2 個 P 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:12V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.3A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:37 毫歐 @ 7.7A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 700µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
    包裝:帶卷 (TR)

    SI7909DN-T1-E3供應(yīng)商

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