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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SI7463DP 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SI7463DP-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.2 毫歐 @ 18.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.9W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:帶卷 (TR)

    SI7463DP-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.2 毫歐 @ 18.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
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    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.9W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:剪切帶 (CT)

    SI7463DP-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.2 毫歐 @ 18.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
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    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.9W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:Digi-Reel®

    SI7463DP-T1-GE3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
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    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.9W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:剪切帶 (CT)

    SI7463DP-T1-GE3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.2 毫歐 @ 18.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.9W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:Digi-Reel®

    SI7463DP-T1-GE3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:40V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.2 毫歐 @ 18.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:140nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.9W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8
    包裝:帶卷 (TR)

    SI7463DP供應(yīng)商

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