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SI7463DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7463DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7463DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7463DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7463DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7463DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 18.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SQCAEM100FAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 10PF 150V 1% 0605
RTM-2405S/H-R
DC DC Converters Recom Power - CONVERTER DC/DC 24VIN 5VOUT 2W
SI7460DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
RT0402DRD071K65L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 1.65K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SHH818-1
配件 Grayhill Inc KEY REPLACEMENT GH561
SR151A680JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 68PF 100V 5% RADIAL
SQCAEM100FAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 10PF 150V 1% 0605
SI4668DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
RT0805CRD078K25L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 8.25K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT0402DRD071K69L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 1.69K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SQCAEM100JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 10PF 150V 5% 0605
SR151A681JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL
SHH818-1
配件 Grayhill Inc KEY REPLACEMENT GH561
RT0805CRD0790K9L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 90.9K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4670DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

SI7463 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料