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SI7459DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7459DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7459DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7459DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7459DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7459DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

VI-B44-IX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
VI-B3M-MW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W
VI-B3V-CU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 200W
VI-B5P-IW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
SI7457DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC
VJ1808Y102KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 1000PF 1.5KV X7R 1808
SKY13370-374LF
RF 開關(guān) Skyworks Solutions Inc 6-XFDFN 裸露焊盤 IC SW SPDT 500MHZ-6GHZ 6-DFN
VI-B44-IX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
VJ1812A510KBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 51PF 1KV 10% NP0 1812
VI-B5P-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 75W
VI-B3V-CU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 200W
VJ1808Y102KXEAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 1000PF 500V 10% X7R 1808
SKY13411-374LF
RF 開關(guān) Skyworks Solutions Inc 6-XFDFN 裸露焊盤 RF SWITCH
VJ1812A510KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 51PF 1.5KV 10% NP0 1812
VI-B44-IY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W

SI7459DP 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料