

SI7439DP-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 5.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7439DP-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 5.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7439DP-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 5.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7439DP-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 150V 3A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 5.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7439DP-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 150V 3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 5.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7439DP-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 150V 3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 5.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 二極管,整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 DIODE SCHOTTKY 170V 2X5A DPAK
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 68.1 OHM 2W 1% WW 4124
- FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC
- 固定式 AlfaMag Electronics, LLC 徑向 INDUCTOR 10UH 5A 260KHZ CLIP
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
- 面板指示器,指示燈 Lumex Opto/Components Inc LED 3MM SUP YEL 6"LDS REAR PNLMT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 78.7 OHM 2W 1% WW 4124
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 600W 15V SMB
- FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC
- 連接器,互連器件 LEMO 徑向 COUPL.W.NUT TRIAX
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 20V SC-70
- 面板指示器,指示燈 Lumex Opto/Components Inc LED 3MM SUPBLUE 6"LDS REAR PNLMT
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 600W 22V SMB
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 866 OHM 2W 1% WW 4124
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