

SI7430DP-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:WFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:26A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7430DP-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:WFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:26A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,10V
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- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7430DP-T1-E3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:WFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:26A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7430DP-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:26A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,10V
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- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7430DP-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:26A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,10V
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- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7430DP-T1-GE3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:26A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 8200PF 50V 5% NP0 1808
- RF 評估和開發(fā)套件,板 Skyworks Solutions Inc 8-UFDFN 裸露焊盤 EVAL BOARD FOR SKY13309
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
- RF 開關 Skyworks Solutions Inc 6-XFDFN 裸露焊盤 IC SWITCH SPDT 100M-6GHZ 6-MLPD
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 8200PF 50V 10% NP0 1808
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W
九九射
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