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SI5853CDC-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：104 毫歐 @ 2.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5853DC-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 2.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5853DC-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 2.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5853DC-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 2.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5853DDC-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5853DDC-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 10V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

RT0805CRE071K1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 1.10K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RW2-4812S/H3/B
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 36-72VIN 12VOUT
SI5513CDC-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
SI2343DS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
RNF14JTD430K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 430K OHM 1/4W 5% AXIAL
SD25-101-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER SHIELD 100UH SMD
RNCF1206BTE6K04
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 6.04K OHM 1/8W 0.1% 1206
MDM-37PH006P
D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 37POS PIN 36" WIRE
RW2-4812S/H3/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 36-72VIN 12VOUT
SI2351DS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
MDM-37PH020B
D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN 3" YEL
RNCF1206BTE70K6
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 70.6K OHM 1/8W 0.1% 1206
SD25-151-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER SHIELD 150UH SMD
RNF14JTD56R0
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/4W 56 OHM 5% AXIAL
RW2-4815D/B
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模塊（6 引線） CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-15VOUT

SI5853 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料