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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SI5853 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SI5853CDC-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
    系列:LITTLE FOOT®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:104 毫歐 @ 2.5A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 8V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:1206-8 ChipFET?
    包裝:帶卷 (TR)

    SI5853DC-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 2.7A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:1206-8 ChipFET?
    包裝:Digi-Reel®

    SI5853DC-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 2.7A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:1206-8 ChipFET?
    包裝:帶卷 (TR)

    SI5853DC-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 2.7A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:1206-8 ChipFET?
    包裝:剪切帶 (CT)

    SI5853DDC-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
    系列:LITTLE FOOT®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫歐 @ 2.9A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 8V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:1206-8 ChipFET?
    包裝:帶卷 (TR)

    SI5853DDC-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
    系列:LITTLE FOOT®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點:二極管(隔離式)
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫歐 @ 2.9A,4.5V
    Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 8V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 10V
    功率_最大:3.1W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:1206-8 ChipFET?
    包裝:Digi-Reel®

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