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SI4834-A20-GU詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：RF 接收器; 描述：IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW; 系列：-; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 頻率：; 靈敏度：; 數(shù)據(jù)傳輸率_最大：; 調(diào)制或協(xié)議：; 應(yīng)用：; 電流_接收：; 數(shù)據(jù)接口：; 存儲(chǔ)容量：; 天線連接器：; 特點(diǎn)：; 電源電壓：; 工作溫度：; 封裝/外殼：; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：; 包裝：

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4834BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4834BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4834CDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：2.9W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

VI-B6W-MX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W
VI-JWM-EZ-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 25W
SI4834BDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
VI-B2Z-IX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
VI-B32-IY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W
SH-2379
支架 - 元件 Bud Industries 徑向，Can SHELF NON VENTILATED STATIONARY
VJ1210A152JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 1210
VI-B7K-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
VI-B6W-MY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 50W
VI-B2Z-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
SH-2390
支架 - 元件 Bud Industries 徑向，Can SHELF NON VENTILATED SLIDING
VI-B32-MU-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 200W
VJ1210A152KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 1500PF 100V 10% NP0 1210
VI-B7K-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
VI-B6X-CU
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 200W

SI4834 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料