SI4830 全國供應商、價格、PDF資料

SI4830-A20-GU詳細規(guī)格

類別：RF 接收器

描述：IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM

系列：-

制造商：Silicon Laboratories Inc

頻率：520kHz ~ 1.71MHz，64MHz ~ 108MHz

靈敏度：-

數(shù)據(jù)傳輸率_最大：-

調(diào)制或協(xié)議：AM，F(xiàn)M

應用：通用

電流_接收：-

數(shù)據(jù)接口：PCB，表面貼裝

存儲容量：-

天線連接器：PCB，表面貼裝

特點：-

電源電壓：2 V ~ 3.6 V

工作溫度：-

封裝/外殼：24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：24-SSOP

包裝：托盤

SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4830ADY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4830ADY-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.7A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 7.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4830CDY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：LITTLE FOOT®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V

功率_最大：2.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• RNCF1206BTC6K81

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 6.81K OHM 1/8W 0.1% 1206

• SDAXB-024G-000000

  固態(tài)硬盤驅(qū)動器    SanDisk        SSD 2.5" UATA 24GB

• SI4829DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC

• SCE048SD3QP1B

  蜂鳴器    Mallory Sonalert Products Inc        BUZZ VDC 2.9KHZ CHIRP

• RNF12FTD237R

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 237 OHM 1/2W 1% AXIAL

• ROV10-751K

  TVS - 變阻器，MOV    TE Connectivity    圓盤 10mm    VARISTOR 750VDC 10MM 10% LEADED

• RNF14BTC3K48

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 3.48K OHM 1/4W .1% AXIAL

• RNCP1206FTD180R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 180 OHM 1/2W 1% 1206 SMD

• RNCF1206BTC7K32

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 7.32K OHM 1/8W 0.1% 1206

• SCE048XA2DP2B

  蜂鳴器    Mallory Sonalert Products Inc        BUZZ VAC/DC 2KHZ FAST DBL PULSE

• RNF12FTD24R9

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 24.9 OHM 1/2W 1% AXIAL

• ROV10-781K-S

  TVS - 變阻器，MOV    TE Connectivity    圓盤 10mm    VARISTOR 780V 10MM STRAIGHT LEAD

• RNF14BTC3K57

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 3.57K OHM 1/4W .1% AXIAL

• RNCP1206FTD221R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 221 OHM 1/2W 1% 1206 SMD

• RNCF1206BTE10K5

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 10.5K OHM 1/8W 0.1% 1206