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SI4686DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：5.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4686DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：5.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4686DY-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：5.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4686DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：5.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4686DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：5.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4686DY-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：5.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

VI-B7H-CW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W
VJ0402A1R2CXACW1BC
陶瓷 Vishay BC Components 0402（1005 公制） CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402
VI-JWL-IW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針法蘭半磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
SI4682DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
VJ1206Y562KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 50V 10% X7R 1206
VI-2WH-IX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
VJ1206A150KXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 15PF 1KV 10% NP0 1206
SGR-8002JF-SHC
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR CMOS PROG 5V ST SMD
VI-B7H-CX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
VI-JWL-IW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
VI-2WH-IY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 50W
VJ1206Y563JBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.056UF 50V 5% X7R 1206
VJ1206A151KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 150PF 500V 10% NP0 1206
SGR-8002JF-STB
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR TTL PROG 5V ST SMD
VI-B7H-CX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W

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