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    SI434 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    SI4340CDY-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14.1A,20A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫歐 @ 11.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
    功率_最大:3W,5.4W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:14-SOICN
    包裝:帶卷 (TR)

    SI4340CDY-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14.1A,20A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫歐 @ 11.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
    功率_最大:3W,5.4W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:14-SOICN
    包裝:剪切帶 (CT)

    SI4340CDY-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:14.1A,20A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫歐 @ 11.5A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
    功率_最大:3W,5.4W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:14-SOICN
    包裝:Digi-Reel®

    SI4340DY-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.3A,9.9A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 9.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.14W,1.43W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:14-SOICN
    包裝:剪切帶 (CT)

    SI4340DY-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.3A,9.9A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 9.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.14W,1.43W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:14-SOICN
    包裝:Digi-Reel®

    SI4340DY-T1-E3詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:20V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.3A,9.9A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 9.6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.14W,1.43W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:14-SOICN
    包裝:帶卷 (TR)

    SI434供應商

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