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SI3552DV-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3552DV-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3552DV-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI3552DV-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI3552DV-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3552DV-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A，1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：6-TSOP; 包裝：帶卷 (TR)

RT1206BRD07261KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 261K OHM 1/4W .1% SMD 1206
SI3500-A-GM
PMIC - 熱交換 Silicon Laboratories Inc 20-VQFN 裸露焊盤 IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN
SFR2500001274FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 1.27MEGOHM MTLFILM .40W 1% T
SI5515CDC-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
RT1206FRE079K1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 9.10K OHM 1/4W 1% SMD 1206
RT0805BRE07309KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 309K OHM 1/8W .1% SMD 0805
SDL-124-TT-10
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 48POS DUAL TIN
RT1206BRD07280RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 280 OHM 1/4W .1% SMD 1206
SI5515CDC-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
RT1220P-331-M
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805（2012 公制） RES 330 OHM TRIMMABLE 0805
RT0805BRE07332RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 332 OHM 1/8W .1% SMD 0805
SDL-125-TT-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 50POS DUAL TIN
RT1206BRD0728K7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 28.7K OHM 1/4W .1% SMD 1206
SFR2500001303FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 130K OHM METAL FILM .40W 1%
SI5515DC-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8

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