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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    SI3457 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    SI3457BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:54 毫歐 @ 5A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.14W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    SI3457BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:54 毫歐 @ 5A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.14W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP
    包裝:剪切帶 (CT)

    SI3457BDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:54 毫歐 @ 5A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.14W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP
    包裝:Digi-Reel®

    SI3457BDV-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:54 毫歐 @ 5A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:1.14W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    SI3457CDV-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:74 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 15V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP
    包裝:帶卷 (TR)

    SI3457CDV-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
    系列:TrenchFET®
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.1A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:74 毫歐 @ 4.1A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 15V
    功率_最大:3W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP
    包裝:帶卷 (TR)

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