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SI3443DV詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 10V; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6; 供應商設(shè)備封裝：6-SSOT; 包裝：帶卷 (TR)

SI3443DV詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 4.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1079pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：管件

SI3443DV詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 10V; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6; 供應商設(shè)備封裝：6-SSOT; 包裝：Digi-Reel®

SI3443DV詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 10V; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6; 供應商設(shè)備封裝：6-SSOT; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3443DVTR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 4.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1079pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI3443DVTR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 4.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1079pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬）; 供應商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：Digi-Reel®

SPD74R-683M
固定式 API Delevan Inc 非標準 INDUCTOR PWR SHIELDED 68UH SMD
SI3443CDV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
RT0805CRE07332RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 332 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SG350LH-L
扎帶 Panduit Corp 1812（4532 公制） CABLE TIE LIGHT HEAVY NAT 15.3"
SCX-ASIC
配件 3M 6-SIP CHIP SET FOR RESISTIVE CONTROLLR
SN74LVCZ240ADBRE4
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SSOP
RT0603DRD07619RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 619 OHM 1/10W .5% 0603 SMD
RT1206DRD0741K2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 41.2K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SPD74R-683M
固定式 API Delevan Inc 非標準 INDUCTOR PWR SHIELDED 68UH SMD
SG350LH-L0
扎帶 Panduit Corp 1812（4532 公制） CABLE TIE LIGHT HEAVY BLK 15.3"
SCX-ASIC
配件 3M 6-SIP CHIP SET FOR RESISTIVE CONTROLLR
SN74LVCZ240ADGVR
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 20-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TVSOP
RT0603DRD0762KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 62K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
RT1206DRD0743R2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 43.2 OHM 1/4W .5% SMD 1206
SPF MIR 003 02
光纖 Infineon Technologies 20-SIP 模塊 PLASTIC OPTICAL FIBER OSIPMIR-4

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