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RW1S0BAR030JT 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

RW1S0BAR030JT詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES POWER .030 OHM 1W 5% SMT

系列：RW

制造商：Ohmite

電阻333Ω444：0.03

功率333W444：1W

成分：繞線(xiàn)

特性：電流檢測(cè)

溫度系數(shù)：±90ppm/°C

容差：±5%

封裝/外殼：2512 J 形引線(xiàn)

供應(yīng)商器件封裝：SMD J 引線(xiàn)，基座

大小/尺寸：0.246" L x 0.136" W（6.25mm x 3.45mm）

高度：0.141"（3.58mm）

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• SI3493BDV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP

• RW1S0BAR024JT

  芯片電阻 - 表面安裝    Ohmite    2512 J 形引線(xiàn)    RES POWER .024 OHM 1W 5% SMT

• SR211C473KARTR2

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL

• SM6227FT7R68

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線(xiàn)    RES 7.68 OHM 3W 1% WW 6227

• MNR14E0ABJ111

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 110 OHM 4 RES 1206

• RT1206FRE0725R5L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 25.5 OHM 1/4W 1% SMD 1206

• SI3493DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP

• RTS-1212

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線(xiàn)）    CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT

• SST39LF020-45-4C-MME

  存儲(chǔ)器    Microchip Technology    34-WFBGA    IC FLASH MPF 2MBIT 45NS 34WFBGA

• MNR14E0ABJ114

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制），凸起    RES ARRAY 110K OHM 4 RES 1206

• RT1206FRE0727KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 27.0K OHM 1/4W 1% SMD 1206

• SI3495DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

• RTS-1212/HP

  DC DC Converters    Recom Power    8-DIP SMD 模塊（5 引線(xiàn)）    CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT

• SM6227FT84R5

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    6227 J 形引線(xiàn)    RES 84.5 OHM 3W 1% WW 6227

• SST39LF040-55-4I-NHE

  存儲(chǔ)器    Microchip Technology    32-LCC（J 形引線(xiàn)）    IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 32PLCC