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RT1206DRE0760R4L 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

RT1206DRE0760R4L詳細規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 60.4 OHM 1/4W .5% SMD 1206

系列：RT

制造商：Yageo

電阻333Ω444：60.4

功率333W444：0.25W，1/4W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數(shù)：±50ppm/°C

容差：±0.5%

封裝/外殼：1206（3216 公制）

供應(yīng)商器件封裝：1206

大小/尺寸：0.122" L x 0.063" W（3.10mm x 1.60mm）

高度：0.026"（0.65mm）

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• SI7463DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC

• SI4485DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

• SI6423DQ-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP

• RT1206DRE075K1L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 5.10K OHM 1/4W .5% SMD 1206

• SMAJ13CHE3/5A

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AC，SMA    TVS BIDIR 400W 13V 10% SMA

• SI3216DCQ1-EVB

  評估演示板和套件    Silicon Laboratories Inc    38-VFQFN 裸露焊盤    DAUGHTER CARD W/SI3201 INTERFACE

• RYM18DTAS

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD

• SI7464DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC

• SI4486EY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

• SI6433BDQ-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

• SMAJ13CHE3/61

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Diodes Division    DO-214AC，SMA    TVS BIDIR 400W 13V 10% SMA

• RYM18DTBH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD

• SI4487DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• SI3216-KT

  接口 - 電信    Silicon Laboratories Inc    38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP

• SI7469DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC