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RT0603DRE0761R9L 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

RT0603DRE0761R9L詳細規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 61.9 OHM 1/10W .5% SMD 0603

系列：RT

制造商：Yageo

電阻333Ω444：61.9

功率333W444：0.1W，1/10W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數(shù)：±50ppm/°C

容差：±0.5%

封裝/外殼：0603（1608 公制）

供應(yīng)商器件封裝：0603

大小/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

高度：0.022"（0.55mm）

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• RT0603DRE0760R4L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 60.4 OHM 1/10W .5% SMD 0603

• RT0805DRD07294KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 294K OHM 1/8W .5% SMD 0805

• SD225-23-21-040

  光學(xué) - 光電檢測器 - 光電二極管    Advanced Photonix Inc    TO-8-5 透鏡頂部金屬罐    PHOTODIODE QUAD TO-8

• SG-636PCE 12.2880MC0:ROHS

  振蕩器    EPSON    4-SOJ，5.08mm 間距    OSCILLATOR 12.2880MHZ SMD

• RT0402CRD0722RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 22.0 OHM 1/16W .25% SMD 0402

• SN74LVTH16244ADL

  邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    48-BSSOP（0.295"，7.50mm 寬）    IC BUFF/DVR TRI-ST 16BIT 48SSOP

• SPP08N50C3

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-220-3    MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB

• RT1206DRE074K75L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    1206（3216 公制）    RES 4.75K OHM 1/4W .5% SMD 1206

• SG-636PCE 18.0000MC0:ROHS

  振蕩器    EPSON    4-SOJ，5.08mm 間距    OSCILLATOR 18.0000MHZ SMD

• SD2410-001

  光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管    Honeywell Sensing and Control    丸狀    PHOTODARLINGTON PILL PACK

• SN74LVTH16245ADLR

  邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    48-BSSOP（0.295"，7.50mm 寬）    IC BUS TRANSCVR 16BIT 48SSOP

• RT0402CRD07232RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 232 OHM 1/16W .25% SMD 0402

• RT0805DRD072K37L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 2.37K OHM 1/8W .5% SMD 0805

• SPP10N10L

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-220-3    MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

• RT0603DRE07681RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 681 OHM 1/10W .5% SMD 0603