RT0603DRD0714K7L 全國供應商、價格、PDF資料

RT0603DRD0714K7L詳細規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 14.7K OHM 1/10W .5% SMD 0603

系列：RT

制造商：Yageo

電阻333Ω444：14.7k

功率333W444：0.1W，1/10W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數(shù)：±25ppm/°C

容差：±0.5%

封裝/外殼：0603（1608 公制）

供應商器件封裝：0603

大小/尺寸：0.063" L x 0.031" W（1.60mm x 0.80mm）

高度：0.022"（0.55mm）

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• SI4840BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

• SQCAEM2R4BAJME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 2.4PF 150V 0605

• RT0603DRD07140KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 140K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SHIPLBL-089-50

  標簽，標記    3M (TC)        LABEL 10X8" BLACK ON RED 50/PK

• SR891C332KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 3300PF 100V 10% RADIAL

• SI7892BDP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC

• SQCBEM102KA1ME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 1000PF 150V 10% 1111

• SI4840BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC

• SR217A561JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 560PF 500V 5% RADIAL

• SI7900AEDN-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK

• SQCBEM102KAJME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 1000PF 150V 10% 1111

• SR895C103JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL

• SR217A680JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 68PF 500V 5% RADIAL

• SI4840BDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC

• SQCAEM2R7BA7WE

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 2.7PF 150V 0605