RNF18FTD215K 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

RNF18FTD215K詳細規(guī)格

類別：通孔電阻器

描述：RES 1/8W 215K OHM 1% AXIAL

系列：RN

制造商：Stackpole Electronics Inc

電阻333Ω444：215k

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：金屬薄膜

特性：阻燃涂層

溫度系數(shù)：±100ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：軸向

供應(yīng)商器件封裝：軸向

大小/尺寸：0.071" 直徑 x 0.130" L（1.80mm x 3.30mm）

高度：-

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• SI7129DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8

• SD6XA-004G-000000

  固態(tài)硬盤驅(qū)動器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 4GB

• MDM-51SH034K

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS SKT 8"

• RNCP0603FTD20K0

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 20K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• RNF18FTD20K0

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 20K OHM 1% AXIAL

• SCD335K601A3Z25-F

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    矩形接線盒    CAP FILM 3.3UF 600VDC SCREW

• SI4490DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 200V 8-SOIC

• SI7148DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH 75V 28A PPAK 8SOIC

• SI4022-A0-FTR

  RF 發(fā)射器    Silicon Laboratories Inc    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC TX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

• MDM-51SSF

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS SKT SOLDER CUP

• SI4490DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 200V 8-SOIC

• SCD475K601A3Z25-F

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    矩形接線盒    CAP FILM 4.7UF 600VDC SCREW

• RNCP0603FTD221R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 221 OHM 1% 0603 SMD

• SI7160DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

• SI4032-B1-FM

  RF 發(fā)射器    Silicon Laboratories Inc    20-VFQFN 裸露焊盤    IC TX 240-930MHZ 1-20DB 20VQFN