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RNF18FTD1R02 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

RNF18FTD1R02詳細(xì)規(guī)格

類別：通孔電阻器

描述：RES 1/8W 1.02 OHM 1% AXIAL

系列：RN

制造商：Stackpole Electronics Inc

電阻333Ω444：1.02

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：金屬薄膜

特性：阻燃涂層

溫度系數(shù)：±100ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：軸向

供應(yīng)商器件封裝：軸向

大小/尺寸：0.071" 直徑 x 0.130" L（1.80mm x 3.30mm）

高度：-

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• RNCP0603FTD1K65

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1.65K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• SCD223110QCD

  接口 - 控制器    Intel    100-QFP    IC 2CH SER WAN COM CNTRL 100MQFP

• SI4487DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• RNF18FTD1M20

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 1.2M OHM 1% AXIAL

• SI3867DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

• SI7119DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK

• SD6NA-080G-000000

  固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 80GB

• SI4488DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

• RNCP0603FTD1K78

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1.78K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• SCD334K122A3Z25-F

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    矩形接線盒    CAP FILM 0.33UF 1.2KVDC SCREW

• SI7123DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

• SI3900DV-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP

• SD6NB-272G-000000

  固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 272GB

• RNCP0603FTD1R00

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1 OHM 1% 0603 SMD

• MDM-51SH034F

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS SKT 8"