RNF18FTD196R 全國供應商、價格、PDF資料
RNF18FTD196R詳細規(guī)格
- 類別:通孔電阻器
- 描述:RES 1/8W 196 OHM 1% AXIAL
- 系列:RN
- 制造商:Stackpole Electronics Inc
- 電阻333Ω444:196
- 功率333W444:0.125W,1/8W
- 成分:金屬薄膜
- 特性:阻燃涂層
- 溫度系數(shù):±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封裝/外殼:軸向
- 供應商器件封裝:軸向
- 大小/尺寸:0.071" 直徑 x 0.130" L(1.80mm x 3.30mm)
- 高度:-
- 端子數(shù):2
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
- 接口 - UART(通用異步接收器/發(fā)送器) NXP Semiconductors 44-LCC(J 形引線) IC UART DUAL 44-PLCC
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 100UH SMD
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 196K OHM 1% AXIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES 130 OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 56UH .57A SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 51POS SKT 18" WIRE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES 64.9 OHM 1/2W 0.01% 2512
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP
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