RG2012P-8662-W-T1 全國供應商、價格、PDF資料

RG2012P-8662-W-T1詳細規(guī)格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 86.6K OHM 1/8W .05% 0805

系列：RG

制造商：Susumu

電阻333Ω444：86.6k

功率333W444：0.125W，1/8W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數(shù)：±25ppm/°C

容差：±0.05%

封裝/外殼：0805（2012 公制）

供應商器件封裝：0805（2012 公制）

大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

高度：0.020"（0.50mm）

端子數(shù)：2

包裝：帶卷 (TR)

• RG1005N-6040-B-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0402（1005 公制）    RES 604 OHM 1/16W .1% 0402

• RFP30N06LE

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

• RG2012P-8660-W-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0805（2012 公制）    RES 866 OHM 1/8W .05% 0805

• RG3216P-7870-C-T5

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    1206（3216 公制）    RES 787 OHM 1/4W .25% 1206

• RM2012B-102/253-PBVW10

  網絡、陣列    Susumu    0805（2012 公制）    RES ARRAY MULT OHM 2 RES 0805

• MA3J7420GL

  二極管，整流器 - 陣列    Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products    SC-85    DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 3P

• RG1005N-6040-W-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0402（1005 公制）    RES 604 OHM 1/16W .05% 0402

• RN1406T5LFT

  晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式    Toshiba    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI

• RFP50N05L

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB

• RG3216P-7871-D-T5

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    1206（3216 公制）    RES 7.87K OHM 1/4W .5% 1206

• MA3J7420GL

  二極管，整流器 - 陣列    Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products    SC-85    DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 3P

• RM2012B-102/302-PBVW10

  網絡、陣列    Susumu    0805（2012 公制）    RES ARRAY MULT OHM 2 RES 0805

• RG1005N-6041-D-T10

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0402（1005 公制）    RES 6.04K OHM 1/16W .5% 0402

• RG1005P-5761-W-T1

  芯片電阻 - 表面安裝    Susumu    0402（1005 公制）    RES 5.76K OHM 1/16W .05% 0402

• RN1411T5LFT

  晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式    Toshiba    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SMINI