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» 型號(hào)"RG2012P-4991-P-T1"的供應(yīng)信息
RG2012P-4991-P-T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
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RG2012P-4991-P-T1詳細(xì)規(guī)格
類別:芯片電阻 - 表面安裝
描述:RES 4.99K OHM 1/8W .02% 0805
系列:RG
制造商:Susumu
電阻333Ω444:4.99k
功率333W444:0.125W,1/8W
成分:薄膜
特性:-
溫度系數(shù):±25ppm/°C
容差:±0.02%
封裝/外殼:0805(2012 公制)
供應(yīng)商器件封裝:0805(2012 公制)
大小/尺寸:0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
高度:0.020"(0.50mm)
端子數(shù):2
包裝:帶卷 (TR)
RG2012P-4991-P-T1供應(yīng)商
RG2012P-4991-P-T1
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
RG2012P-4991-P-T1
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多RG2012P-4991-P-T1的供應(yīng)商
M83723/78R12039
連接器,互連器件 TE Connectivity 寬 1812(4532 公制),1218 CONN PLUG 3POS STRGHT W/PINS
RCL12256R98FKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 2512(6432 公制),1225 RES 6.98 OHM 2W 1% 1225 WIDE
RMCF0805JG160R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES TF 1/8W 160 OHM 5% 0805
RJK0369DSP-00#J0
FET - 單 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP
RG2012P-48R7-W-T5
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 48.7 OHM 1/8W .05% 0805
RCL12184K70FKEK
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 1812(4532 公制),1218 RES 4.70K OHM 1W 1% 1218 WIDE
M83723/78R12039-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity 寬 1812(4532 公制),1218 CONN HSG PLUG STRGHT 3POS PIN
RCL1225732KFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 2512(6432 公制),1225 RES 732K OHM 2W 1% 1225 WIDE
RMCF0805JG18K0TR
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES TF 1/8W 18K OHM 5% 0805
RCL12184K70JNEK
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 1812(4532 公制),1218 RES 4.7K OHM 1W 5% 1218 WIDE
RCL1225732RFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 寬 2512(6432 公制),1225 RES 732 OHM 2W 1% 1225 WIDE
M83723/78R1212N
連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations 寬 2512(6432 公制),1225 CONN PLUG 12POS STRAIGHT W/PINS
RMCF0805JG1M00
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES TF 1/8W 1M OHM 5% 0805
RJK0392DPA-00#J53
FET - 單 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK
RG2012P-4991-W-T1
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 0805(2012 公制) RES 4.99K OHM 1/8W .05% 0805
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