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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    RFD3055 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    RFD3055詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 12A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 20V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 25V
    功率_最大:53W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I-Pak
    包裝:管件

    RFD3055LE詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:107 毫歐 @ 8A,5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:38W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:I-Pak
    包裝:管件

    RFD3055LESM詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:107 毫歐 @ 8A,5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:38W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252AA
    包裝:管件

    RFD3055LESM9A詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:107 毫歐 @ 8A,5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:38W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252AA
    包裝:帶卷 (TR)

    RFD3055LESM9A詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:107 毫歐 @ 8A,5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:38W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252AA
    包裝:剪切帶 (CT)

    RFD3055LESM9A詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
    系列:-
    制造商:Fairchild Semiconductor
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
    開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:107 毫歐 @ 8A,5V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.3nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
    功率_最大:38W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-252AA
    包裝:Digi-Reel®

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