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    PHKD13N03LT 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    PHKD13N03LT,118詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
    系列:TrenchMOS™
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 8A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.7nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:752pF @ 15V
    功率_最大:3.57W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

    PHKD13N03LT,518詳細規(guī)格

    類別:FET - 陣列
    描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC
    系列:TrenchMOS™
    制造商:NXP Semiconductors
    FET型:2 個 N 溝道(雙)
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10.4A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 8A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.7nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:752pF @ 15V
    功率_最大:3.57W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應商設備封裝:8-SO
    包裝:帶卷 (TR)

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