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    PDTA114TK 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    PDTA114TK,115詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP 50V 100MA SOT346
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉換:-
    功率_最大:250mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SMT3
    包裝:帶卷 (TR)

    PDTA114TK,135詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-346
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉換:-
    功率_最大:250mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SMT3
    包裝:Digi-Reel®

    PDTA114TK,135詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-346
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉換:-
    功率_最大:250mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SMT3
    包裝:剪切帶 (CT)

    PDTA114TK,135詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-346
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉換:-
    功率_最大:250mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SMT3
    包裝:帶卷 (TR)

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