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    PDTA114TE 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    PDTA114TE,115詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-23
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-75,SOT-416
    供應商設(shè)備封裝:SC-75
    包裝:帶卷 (TR)

    PDTA114TE,115詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-23
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-75,SOT-416
    供應商設(shè)備封裝:SC-75
    包裝:帶卷 (TR)

    PDTA114TEF,115詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-490
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-89,SOT-490
    供應商設(shè)備封裝:SC-89
    包裝:帶卷 (TR)

    PDTA114TEF,115詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-490
    系列:-
    制造商:NXP Semiconductors
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):10k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):-
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1mA,5V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):1µA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:150mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-89,SOT-490
    供應商設(shè)備封裝:SC-89
    包裝:剪切帶 (CT)

    PDTA114TE供應商

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