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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    NTR4502P 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    NTR4502PT1詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.13A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.95A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 15V
    功率_最大:400mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:帶卷 (TR)

    NTR4502PT1G詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.13A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.95A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 15V
    功率_最大:400mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:帶卷 (TR)

    NTR4502PT1G詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.13A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.95A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 15V
    功率_最大:400mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:剪切帶 (CT)

    NTR4502PT1G詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.13A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.95A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 15V
    功率_最大:400mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:Digi-Reel®

    NTR4502PT3詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.13A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.95A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 15V
    功率_最大:400mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:帶卷 (TR)

    NTR4502PT3G詳細(xì)規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
    FET特點(diǎn):邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.13A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 1.95A,10V
    Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 15V
    功率_最大:400mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236)
    包裝:帶卷 (TR)

    NTR4502P供應(yīng)商

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