當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引456 » 型號(hào)"NTMS7N03R2"的供應(yīng)信息

NTMS7N03R2 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

NTMS7N03R2詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V

功率_最大：800mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

NTMS7N03R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V

功率_最大：800mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

NTMS7N03R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V

功率_最大：800mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

NTMS7N03R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 25V

功率_最大：800mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• OPA2130UAE4

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP 1MHZ DUAL FET 8SOIC

• P51-300-S-H-I36-5V-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 300PSIS M12 5V 36"

• NTMS4917NR2G

  FET - 單    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL

• ICS8442AYILFT

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LQFP    IC SYNTHESIZE DUAL 700MHZ 32LQFP

• OF750JE

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RESISTOR 75 OHM .5W CARB COMP

• NX1117CE50Z,115

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    NXP Semiconductors    TO-261-4，TO-261AA    IC REG LDO 5V 1A SOT-223

• P51-300-S-H-MD-20MA-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 300PSIS M12 4-20 MA

• MMBZ5226BS-7

  二極管/齊納陣列    Diodes Inc    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    DIODE ZENER DUAL 3.3V SOT-363

• OPA2132PAG4

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC OPAMP FET-IN DUAL HS 8-PDIP

• ICS85222AM-02

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘緩沖器，驅(qū)動(dòng)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC CLK BUFFER TRANSLA 1:2 8-SOIC

• NX1117CEADJZ,115

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    NXP Semiconductors    TO-261-4，TO-261AA    IC REG LDO ADJ 1A SOT-223

• OF822J

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RESISTOR 8.2K OHM .5W CARB COMP

• MMBZ5226BW-7

  單二極管/齊納    Diodes Inc    SC-70，SOT-323    DIODE ZENER 3.3V 200MW SC70-3

• OPA2132PG4

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC OPAMP FET-IN DUAL HS 8-PDIP

• P51-300-S-H-MD-5V-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 300PSIS M12 5V MINI