NP52N06SLG 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

NP52N06SLG-E1-AY詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 52A TO252

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：52A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 26A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2100pF @ 10V

功率_最大：1.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252（MP-3ZK）

包裝：Digi-Reel®

NP52N06SLG-E1-AY詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 52A TO252

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：52A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 26A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2100pF @ 10V

功率_最大：1.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252（MP-3ZK）

包裝：剪切帶 (CT)

NP52N06SLG-E1-AY詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 52A TO252

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：52A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 26A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2100pF @ 10V

功率_最大：1.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252（MP-3ZK）

包裝：帶卷 (TR)

• NOJD477M002RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2917（7343 公制）    CAP NIOB OXIDE 470UF 2.5V 2917

• MGA-665P8-BLK

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    8-WFDFN 裸露焊盤    IC AMP MMIC LNA GAAS 3V 8-LPCC

• MIC2185YQS

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器    Micrel Inc    16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP

• NP50P04SDG-E1-AY

  FET - 單    Renesas Electronics America    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET P-CH -40V -50A TO-252

• HMK432B7225KM-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812

• NOJB226M010RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210

• P1168.823NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR PWR SHIELD 82UH SMD

• NSBC124EPDXV6T1G

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式    ON Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

• NOJF157M006RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312

• MIC2198YML TR

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器    Micrel Inc    12-VFDFN 裸焊盤，12-MLF?    IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF

• HMK432B7225KM-T

  陶瓷    Taiyo Yuden    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812

• NOJC107M002SWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312

• P1169.124NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR PWR SHIELD 120UH SMD

• MGA-68563-TR2G

  RF 放大器    Avago Technologies US Inc.    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    IC RF AMP LNA GAAS MMIC SOT-363

• NOJP106M002RWJ

  氧化鈮    AVX Corporation    0805（2012 公制）    CAP NIOB OXIDE 10UF 2.5V 0805