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» 型號(hào)"NOSW476M004R0150"的供應(yīng)信息
NOSW476M004R0150 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
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NOSW476M004R0150詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:氧化鈮
描述:CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
系列:OxiCap® NOS
制造商:AVX Corporation
電容:47µF
電壓_額定:4V
容差:±20%
ESR(等效串聯(lián)電阻):150 毫歐
電流_泄漏電流:3.8µA
耗散因數(shù):6%
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:2312(6032 公制)
制造商尺寸代碼:W
高度_座高(最大):0.059"(1.50mm)
特點(diǎn):低 ESR
工作溫度:-55°C ~ 125°C
包裝:剪切帶 (CT)
NOSW476M004R0150詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:氧化鈮
描述:CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
系列:OxiCap® NOS
制造商:AVX Corporation
電容:47µF
電壓_額定:4V
容差:±20%
ESR(等效串聯(lián)電阻):150 毫歐
電流_泄漏電流:3.8µA
耗散因數(shù):6%
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:2312(6032 公制)
制造商尺寸代碼:W
高度_座高(最大):0.059"(1.50mm)
特點(diǎn):低 ESR
工作溫度:-55°C ~ 125°C
包裝:Digi-Reel®
NOSW476M004R0150詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:氧化鈮
描述:CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
系列:OxiCap® NOS
制造商:AVX Corporation
電容:47µF
電壓_額定:4V
容差:±20%
ESR(等效串聯(lián)電阻):150 毫歐
電流_泄漏電流:3.8µA
耗散因數(shù):6%
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:2312(6032 公制)
制造商尺寸代碼:W
高度_座高(最大):0.059"(1.50mm)
特點(diǎn):低 ESR
工作溫度:-55°C ~ 125°C
包裝:帶卷 (TR)
NOSW476M004R0150供應(yīng)商
NOSW476M004R0150
深圳市燦億佳電子科技有限公司
13424184668
NOSW476M004R0150
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
NOSW476M004R0150
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
NOSW476M004R0150
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
NOSW476M004R0150
深圳市燦億佳電子科技有限公司
13424184668
NOSW476M004R0150
深圳市鈞凌科技有限公司
0755-88603910
NOSW476M004R0150
深圳市星發(fā)盛電子有限公司
0755-83246537
NOSW476M004R0150
深圳思諾康科技有限公司
0755-83286481
NOSW476M004R0150
北京首天偉業(yè)科技有限公司
010-62104931、
NOSW476M004R0150
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
查看更多NOSW476M004R0150的供應(yīng)商
NE3509M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NOSV477M006R0075
氧化鈮 AVX Corporation 2924(7361 公制) CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
NLFV25T-100K-PF
固定式 TDK Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
MT5000-3/8-2-SP
熱縮管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
NE5531079A-T1-A
RF FET CEL 4-SMD,扁平引線 FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
MT4VDDT1664HG-335F3
存儲(chǔ)器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
MFR-25FRF-8K06
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2R02PA5101E9
背板 - 硬公制,標(biāo)準(zhǔn) FCI CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
NE3514S02-T1D-A
RF FET CEL 4-SMD,扁平引線 HJ-FET NCH 10DB S02
NE5532AD8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
MT5000-3/8-9-SP
熱縮管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
MFR-25FRF-8K66
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 8.66KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT4VDDT1664HY-40BK1
存儲(chǔ)器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM
NE3515S02-T1C-A
RF FET CEL 4-SMD,扁平引線 FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
HM2R02PA5108E9
背板 - 硬公制,標(biāo)準(zhǔn) FCI CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
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