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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    NE5230DR2 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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    NE5230DR2詳細(xì)規(guī)格

    類別:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
    描述:IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    放大器類型:通用
    電路數(shù):1
    輸出類型:滿擺幅
    壓擺率:0.25 V/µs
    增益帶寬積:600kHz
    _3db帶寬:-
    電流_輸入偏置:40nA
    電壓_輸入失調(diào):400µV
    電流_電源:1.1mA
    電流_輸出/通道:32mA
    電壓_電源qqq單/雙333ttt444:1.8 V ~ 15 V,±0.9 V ~ 7.5 V
    工作溫度:0°C ~ 70°C
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    NE5230DR2G詳細(xì)規(guī)格

    類別:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
    描述:IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    放大器類型:通用
    電路數(shù):1
    輸出類型:滿擺幅
    壓擺率:0.25 V/µs
    增益帶寬積:600kHz
    _3db帶寬:-
    電流_輸入偏置:40nA
    電壓_輸入失調(diào):400µV
    電流_電源:1.1mA
    電流_輸出/通道:32mA
    電壓_電源qqq單/雙333ttt444:1.8 V ~ 15 V,±0.9 V ~ 7.5 V
    工作溫度:0°C ~ 70°C
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N
    包裝:剪切帶 (CT)

    NE5230DR2G詳細(xì)規(guī)格

    類別:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
    描述:IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    放大器類型:通用
    電路數(shù):1
    輸出類型:滿擺幅
    壓擺率:0.25 V/µs
    增益帶寬積:600kHz
    _3db帶寬:-
    電流_輸入偏置:40nA
    電壓_輸入失調(diào):400µV
    電流_電源:1.1mA
    電流_輸出/通道:32mA
    電壓_電源qqq單/雙333ttt444:1.8 V ~ 15 V,±0.9 V ~ 7.5 V
    工作溫度:0°C ~ 70°C
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC N
    包裝:帶卷 (TR)

    NE5230DR2供應(yīng)商

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