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MVE63VC221MK14TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

MVE63VC221MK14TR詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 220UF 63V 20% SMD

系列：MVE

制造商：United Chemi-Con

電容：220µF

額定電壓：63V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時(shí)為 2000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：470mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：1.055 歐姆

阻抗：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.492" 直徑（12.50mm）

高度_座高（最大）：0.531"（13.50mm）

引線間隔：-

表面貼裝占地面積：0.512" L x 0.512" W（13.00mm x 13.00mm）

包裝：托盤(pán)

• ONET4211LDRGER

  PMIC - 激光驅(qū)動(dòng)器    Texas Instruments    24-VFQFN 裸露焊盤(pán)    IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN

• HF659/64SF

  扁平帶    3M        CABLE 64COND RND SHIELD GRY 50’

• MX2-AB015-VP

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    48-TFBGA，CSPBGA    MX2 230V 1PH VALUE PACK

• MVE6.3VE472ML22TR

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 4700UF 6.3V 20% SMD

• MCR18EZHF2700

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 270 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MT36VDDF12872G-40BG3

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE SDRAM DDR 1GB 184DIMM

• MCR03EZPJ822

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 8.2K OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT8VDDT6464AY-335DB

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE SDRAM DDR 512MB 184DIMM

• HF696

  信號(hào)，高達(dá) 2 A    TE Connectivity        RELAY RF SPDT 2A 12V

• MCR18EZHF2703

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ONET4211LDRGET

  PMIC - 激光驅(qū)動(dòng)器    Texas Instruments    24-VFQFN 裸露焊盤(pán)    IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN

• MT36VDDF25672G-40BD2

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 2GB 184-DIMM

• MCR03EZPJ913

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 91K OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT8VDDT6464AY-335F3

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM

• MCR18EZHF2703

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD