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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    MUN5113 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    MUN5113DW1T1G詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):47k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:250mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:Digi-Reel®

    MUN5113DW1T1G詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):47k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:250mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:剪切帶 (CT)

    MUN5113DW1T1G詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):47k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:250mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363
    包裝:帶卷 (TR)

    MUN5113T1詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):47k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:202mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-70,SOT-323
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-70-3(SOT323)
    包裝:帶卷 (TR)

    MUN5113T1G詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):47k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:202mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-70,SOT-323
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-70-3(SOT323)
    包裝:帶卷 (TR)

    MUN5113T3G詳細(xì)規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):47k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
    在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:202mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:SC-70,SOT-323
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-70-3(SOT323)
    包裝:帶卷 (TR)

    MUN5113供應(yīng)商

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