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    MUN2132T1 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    MUN2132T1詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):4.7k
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:230mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SC-59
    包裝:帶卷 (TR)

    MUN2132T1G詳細規(guī)格

    類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
    描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
    系列:-
    制造商:ON Semiconductor
    晶體管類型:PNP - 預偏壓
    電流_集電極333Ic444(最大):100mA
    電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
    電阻器_基極333R1444(歐):4.7k
    電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):4.7k
    在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 5mA,10V
    IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
    電流_集電極截止(最大):500nA
    頻率_轉(zhuǎn)換:-
    功率_最大:230mW
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    供應商設備封裝:SC-59
    包裝:帶卷 (TR)

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