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MU3261-152Y 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

MU3261-152Y詳細(xì)規(guī)格

類別：鐵氧體磁珠和芯片

描述：BEAD FERRITE 1500 OHM 300MA 3216

系列：MU

制造商：Bourns Inc.

頻率對(duì)應(yīng)阻抗：1.5 千歐 @ 100MHz

額定電流：300mA

DC電阻333DCR444：最大 700 毫歐

濾波器類型：差模 - 單線

封裝/外殼：1206（3216 公制）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

高度（最大）：0.051"（1.30mm）

尺寸/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

• MU20-110/32DFK

  端子 - 快速連接，快速斷連    3M    6-SMD（0.300"，7.62mm）    CONN UNINSUL FMALE 26-20AWG .11"

• PH6325L,115

  FET - 單    NXP Semiconductors    SC-100，SOT-669，4-LFPAK    MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK

• MT47H64M16BT-37E:A

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    92-FBGA    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 92FBGA

• PVU414S-T

  固態(tài)    International Rectifier    6-SMD，鷗翼型    IC RELAY PHOTOVO 400V 140MA 6SMD

• PI-1908

  箱    Bud Industries    6-SMD，鷗翼型    BOX ABS 5.91X3.16X2.36" GRY

• Q6N4RP

  三端雙向可控硅開關(guān)    Littelfuse Inc    DO-214AA，SMB（3 引線），Compak    TRIAC 600V 1A DO-214

• MU3261-122Y

  鐵氧體磁珠和芯片    Bourns Inc.    1206（3216 公制）    BEAD FERRITE 1200 OHM 100MA 3216

• MT47H64M16HR-3 L:G TR

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    84-TFBGA    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA

• PH6530AL,115

  FET - 單    NXP Semiconductors    SC-100，SOT-669，4-LFPAK    MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK

• MT47H64M16HR-3:E TR

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    84-TFBGA    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 84FBGA

• PI-1910

  箱    Bud Industries    84-TFBGA    BOX ABS 7.48X3.91X2.36" GRY

• PVX006A0X3-SRZ

  DC DC Converters    GE    17-SMD 模塊    CONVERTER DC/DC 5.5V 6A OUT

• PH7030ALS,115

  其它    NXP Semiconductors    17-SMD 模塊    MOSFET N-CH 30V TRENCH LFPACK

• Q6P1CXXR12E

  面板指示器，指示燈    APEM Components, LLC    17-SMD 模塊    INDICATOR 12V 6MM PROMINENT RED

• MU3261-300Y

  鐵氧體磁珠和芯片    Bourns Inc.    1206（3216 公制）    BEAD FERRITE 30 OHM 500MA 3216