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MTB30P06VT4詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2190pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

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MTB30P06VT4G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2190pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

MTB30P06VT4G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2190pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

MSTM-S3-TR-19.44M
時鐘/計時 - 專用 Connor-Winfield 18-DIP 模塊 IC MOD TIMING 19.440MHZ STRAT 3
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電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 47UF 6.3V 20% SMD
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標(biāo)記 Panduit Corp TAG MKR BRASS CIRCLE 1"
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芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 86.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MCR006YZPJ435
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 4.3M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
MT1000-1/16-X-STK
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MTB30P06VT4 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料