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庫(kù)存索引1
» 型號(hào)"MT4JSF6464HY-1G4B1"的供應(yīng)信息
MT4JSF6464HY-1G4B1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
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MT4JSF6464HY-1G4B1詳細(xì)規(guī)格
類別:存儲(chǔ)器 - 模塊
描述:MOD DDR3 SDRAM 512MB 204-SODIMM
系列:-
制造商:Micron Technology Inc
存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM
存儲(chǔ)容量:512MB
速度:1333MT/s
特點(diǎn):-
封裝/外殼:204-SODIMM
MT4JSF6464HY-1G4B1供應(yīng)商
MT4JSF6464HY-1G4B1
深圳市芯澤盛世科技有限公司
0755-89697985
MT4JSF6464HY-1G4B1
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
MT4JSF6464HY-1G4B1
深圳市科雨電子有限公司
13352995145(微
MT4JSF6464HY-1G4B1
北京元坤國(guó)際科技有限公司
010-62104931、
MT4JSF6464HY-1G4B1
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
查看更多MT4JSF6464HY-1G4B1的供應(yīng)商
MVE16VC10RMD55TP
電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 10UF 16V 20% SMD
MCR25JZHF3920
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 392 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MCR03EZPFX1602
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 16.0K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
MT4HTF6464HZ-667H1
存儲(chǔ)器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MOD DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
MCR10EZPF5762
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 57.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
OF361J
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 360 OHM .5W CARB COMP
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA
MS3475W18-30SZ
連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS CABLE SCKT
MVE16VC151MF80TP
電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 150UF 16V 20% SMD
MCR03EZPFX1603
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 160K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
OF390J
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 39 OHM .5W CARB COMP
MCR10EZPF5762
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 57.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MS3475W18-32BY
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 32POS SCKT
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA
MVE16VE332MM17TR
電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 3300UF 16V 20% SMD
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