MPS2222ARL 全國供應商、價格、PDF資料

MPS2222ARL詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：帶卷 (TR)

MPS2222ARLG詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：帶卷 (TR)

MPS2222ARLG詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：剪切帶 (CT)

MPS2222ARLG詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：Digi-Reel®

MPS2222ARLRA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN SS GP 40V TO92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：剪切帶 (CT)

MPS2222ARLRAG詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN GP SS 40V TO92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V

功率_最大：625mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設(shè)備封裝：TO-92-3

包裝：剪切帶 (CT)

• MMD23-0341C1

  背板 - 專用    Vishay Dale        CONN RACK/PANEL 34POS 5A

• MP4-2E/1L-1L-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power    10-SIP    MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MPS203R04

  按鈕    TE Connectivity    徑向    SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V

• MLP2520S4R7M

  固定式    TDK Corporation    1008（2520 公制）    INDUCTOR MULTILAYER 4.7UH 1008

• GRM1885C1H4R7BZ01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 4.7PF 50V NP0 0603

• MAX5151ACPE+

  數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉(zhuǎn)換器    Maxim Integrated    16-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DAC 13BIT DUAL LP SER 16-DIP

• MAX6220ASA-5.0+

  PMIC - 電壓基準    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC VREF SERIES PREC 5V 8-SOIC

• MMD23-0341H1

  背板 - 專用    Vishay Dale        CONN RACK/PANEL 34POS 5A

• MMSZ5239B-TP

  單二極管/齊納    Micro Commercial Co    SOD-123    DIODE ZENER 500MW 9.1V SOD123

• GRM1885C1H4R7CZ01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 4.7PF 50V NP0 0603

• MLP281M450EB0A

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    扁平封裝    CAP ALUM 280UF 450V 20% RADIAL

• MAX5151BCPE+

  數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉(zhuǎn)換器    Maxim Integrated    16-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DAC 13BIT DUAL LP SER 16-DIP

• MAX6225BCSA

  PMIC - 電壓基準    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-SOIC

• MMSZ5240B

  單二極管/齊納    Fairchild Semiconductor    SOD-123    DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123

• MMD23-0341R1

  背板 - 專用    Vishay Dale        CONN RACK/PANEL 34POS 5A