MMDT4126-7 全國供應商、價格、PDF資料
MMDT4126-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL PNP -25V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 PNP(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,1V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
MMDT4126-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL PNP -25V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 PNP(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,1V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMDT4126-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL PNP -25V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes/Zetex
- 晶體管類型:2 PNP(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,1V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
MMDT4126-7-F詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL PNP 25V SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 PNP(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,1V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:Digi-Reel®
MMDT4126-7-F詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL PNP 25V SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 PNP(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,1V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMDT4126-7-F詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL PNP 25V SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 PNP(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,1V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
- PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated TO-253-4,TO-253AA IC RESET CIRCUIT 3.20V SOT143-4
- 晶體管(BJT) - 陣列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS COMP PAIR 40V SOT-363
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 20V 500MW SOD-123
- 扎帶 Panduit Corp 扁平封裝 TIE CABLE 316 ST/STL 450LB 26.8"
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 7.2PF 50V NP0 0603
- 功率,高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
- 網(wǎng)絡、陣列 Rohm Semiconductor 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 0804
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉換器 Maxim Integrated 16-DIP(0.300",7.62mm) IC DAC 8BIT SGL 2WIRE SER 16-DIP
- PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated TO-253-4,TO-253AA IC RESET CIRCUIT 3.20V SOT143-4
- 扎帶 Panduit Corp 扁平封裝 STD WAVE-TY MLT
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 7.7PF 50V NP0 0603
- 原型開發(fā)板 - 未穿孔 Capital Advanced Technologies KIT UNI-SIP ASSORTMENT 52PCS
- 網(wǎng)絡、陣列 Rohm Semiconductor 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 10K OHM 4 RES 0804
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉換器 Maxim Integrated 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC DAC 16BIT SRL 10UMAX
- PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated TO-253-4,TO-253AA IC RESET CIRCUIT 3.50V SOT143-4
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