MMBTH10 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

MMBTH10詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 晶體管 (BJT)

描述：TRANSISTOR RF NPN SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

頻率_轉(zhuǎn)換：650MHz

噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：-

增益：-

功率_最大：225mW

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 4mA，10V

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：剪切帶 (CT)

MMBTH10詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 晶體管 (BJT)

描述：TRANSISTOR RF NPN SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

頻率_轉(zhuǎn)換：650MHz

噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：-

增益：-

功率_最大：225mW

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 4mA，10V

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

MMBTH10詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 晶體管 (BJT)

描述：TRANSISTOR RF NPN SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

頻率_轉(zhuǎn)換：650MHz

噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：-

增益：-

功率_最大：225mW

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 4mA，10V

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：Digi-Reel®

MMBTH10-4LT1詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 晶體管 (BJT)

描述：TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

頻率_轉(zhuǎn)換：800MHz

噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：-

增益：-

功率_最大：225mW

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 4mA，10V

電流_集電極333Ic444（最大）：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

MMBTH10-7詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 晶體管 (BJT)

描述：TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

頻率_轉(zhuǎn)換：650MHz

噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：-

增益：-

功率_最大：300mW

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 4mA，10V

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

包裝：剪切帶 (CT)

MMBTH10-7詳細(xì)規(guī)格

類別：RF 晶體管 (BJT)

描述：TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：25V

頻率_轉(zhuǎn)換：650MHz

噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：-

增益：-

功率_最大：300mW

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 4mA，10V

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

• MMP4S68K-F

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    軸向    CAP FILM 0.068UF 400VDC AXIAL

• MER1S2405SC

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    7-SIP 模塊（4 引線）    CONV DC/DC 1KVDC TH 1W 24-5V

• MMBTA 56 LT1

  晶體管(BJT) - 單路    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR PNP 80V SOT-23

• M83723/76R10026

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN PLUG 2POS STRGHT W/PINS

• GMC40DRES-S734

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    5mm x 20mm    CONN EDGECARD 80POS .100 EYELET

• MMBTH10-4LT1

  RF 晶體管 (BJT)    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23

• MCR10EZPF1184

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.18M OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• MCR006YZPF1003

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0201（0603 公制）    RES 100K OHM 1/20W 1% 0201 SMD

• MER1S2405SC

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    7-SIP 模塊（4 引線）    CONV DC/DC 1KVDC TH 1W 24-5V

• M83723/76R10026

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN PLUG 2POS STRGHT W/PINS

• MMBTA05LT1G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS DRIVER SS NPN 60V SOT23

• MCR10EZPF11R0

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 11.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• GMC40DRTI

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    5mm x 20mm    CONN EDGECARD 80POS DIP .100 SLD

• MER1S4809SC

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    7-SIP 模塊（4 引線）    CONV DC/DC 1KVDC TH 1W 48-9V

• MMP6P15K-F

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    軸向    CAP FILM 0.15UF 630VDC AXIAL