MMBT4401 全國供應商、價格、PDF資料

MMBT4401詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

MMBT4401詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：剪切帶 (CT)

MMBT4401詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：Digi-Reel®

MMBT4401_D87Z詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS GP NPN 40V 600MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

MMBT4401-7詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 40V 350MW SMD SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：300mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：剪切帶 (CT)

MMBT4401-7詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 40V 350MW SMD SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：750mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，1V

功率_最大：300mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

• MLH010BSG17B

  壓力    Honeywell Sensing and Control    圓柱型，金屬    TRANS MLH010 BAR S 43650-C G1

• MJE271

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-225AA，TO-126-3    TRANS DARL PNP 2A 100V TO-225

• MM8030-2600RJ3

  同軸，RF    Murata Electronics North America    -    CONN MW W/SWITCH 2X2 SMD

• MAX16016LTBR+T

  PMIC - 監(jiān)控器    Maxim Integrated    10-WFDFN 裸露焊盤    IC UP SUPERVISOR LP 10TDFN-EP

• MLH010KSC14G

  壓力    Honeywell Sensing and Control    圓柱型，金屬    MLH ALL METAL PRESS SENSE

• MM80C95N

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    Fairchild Semiconductor    16-DIP（0.300"，7.62mm）    IC BUFF TRI-ST HEX N-INV 16DIP

• MJE2955T

  晶體管(BJT) - 單路    STMicroelectronics    TO-220-3    TRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220

• MP6-2X-2X-00

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MMBT4126LT3G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS GP SS PNP 25V SOT23

• MLH016BSG01B

  壓力    Honeywell Sensing and Control    圓柱型，金屬    SENSOR SEALED GAGE 0-16 BAR

• MJE340

  晶體管(BJT) - 單路    STMicroelectronics    TO-225AA，TO-126-3    TRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT-32

• MM8130-2600RA2

  同軸，RF    Murata Electronics North America    16-DIP（0.300"，7.62mm）    CONN MW COAXIAL WITH SWITCH SMD

• MAX16016LTBW+T

  PMIC - 監(jiān)控器    Maxim Integrated    10-WFDFN 裸露焊盤    IC UP SUPERVISOR LP 10TDFN-EP

• MP6-2Y/1Q-4LE-00

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MJN2C-N-AC24

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V