MMBT3906LP-7 全國供應商、價格、PDF資料
MMBT3906LP-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA 3DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉(zhuǎn)換:300MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-XFDFN
- 供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包裝:帶卷 (TR)
MMBT3906LP-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA 3DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉(zhuǎn)換:300MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-XFDFN
- 供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包裝:Digi-Reel®
MMBT3906LP-7詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA 3DFN
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉(zhuǎn)換:300MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-XFDFN
- 供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMBT3906LP-7B詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA DFN1006-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉(zhuǎn)換:300MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-UFDFN
- 供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMBT3906LP-7B詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA DFN1006-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉(zhuǎn)換:300MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-UFDFN
- 供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包裝:Digi-Reel®
MMBT3906LP-7B詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 40V 200MA DFN1006-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉(zhuǎn)換:300MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-UFDFN
- 供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
- 包裝:帶卷 (TR)
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 95.30K OHM MTLFILM .40W 1% T
- 晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PNP 40V 300MW SMD SOT23-3
- 配件 Thomas Research Products 8-DIP SMD 模塊(5 引線) RAPID RESTRIKE IGNITOR FOR HPS
- TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB,SMC TVS 1500W 54V BIDIRECT SMC
- TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AA,SMB TVS ZENER BIDIRECT 600W 85V SMB
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 39.2K OHM MET FILM .40W 1%
- 紅外發(fā)射器,UV 發(fā)射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc TO-18-2 金屬罐 EMITTER IR 850NM TO-18
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 953K OHM METL FILM .40W 1% T
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 58V 10% SMC
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 392K OHM METAL FILM .40W 1%
- 紅外發(fā)射器,UV 發(fā)射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc TO-46-2 透鏡頂部金屬罐 EMITTER IR 880NM CLEAR TO-46
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS BIDIR 600W 85V 5% SMB
- FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 97.6 OHM METL FILM .40W 1% T
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