

MJD200詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):5A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.8V @ 1A,5A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:45 @ 2A,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:65MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:管件
MJD200G詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):5A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.8V @ 1A,5A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:45 @ 2A,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:65MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:管件
MJD200RLG詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):5A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.8V @ 1A,5A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:45 @ 2A,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:65MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MJD200RLG詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):5A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.8V @ 1A,5A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:45 @ 2A,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:65MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:Digi-Reel®
MJD200RLG詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):5A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.8V @ 1A,5A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:45 @ 2A,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:65MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
MJD200T4詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):5A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):25V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.8V @ 1A,5A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:45 @ 2A,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:65MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 線槽,走線系統(tǒng) - 附件 Panduit Corp 非標準 SNAP RIVET NYLON WHT 2 X 2"
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 TRANS BIPOLAR NPN 2A 450V DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-EMC Div 非標準 CONN FOR THUMBWHEEL SW SLDR
- FET - 單 ON Semiconductor 6-UFDFN 裸露焊盤 MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
- 加速計 Freescale Semiconductor 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC SENSOR ACCEL X-AXIS SOIC16
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 2A 12V SOT-23
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER .13UH 0402
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 9/16-18UNF 4-20MA
- 配件 Omron Electronics Inc-EMC Div 非標準 CONN FOR THUMBWHEEL SW SLDR
- LED - 墊片,支座 Bivar Inc 6-UFDFN 裸露焊盤 LED MOUNT .290"
- 加速計 Freescale Semiconductor 16-VQFN IC ACCELER 2G/4G/8G 3AXIS 16QFN
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor 3-WDFN 裸露焊盤 TRANS NPN 12V 7A 3-WDFN
- 固定式 TDK Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR MULTILAYER 180NH 0402
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 9/16-18UNF .5-4.5V
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
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