MDM-51SH027F 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

MDM-51SH027F詳細規(guī)格

類別：D-Sub

描述：MICRO 51POS SKT 3"

系列：Micro D 金屬外殼 (MDM)

制造商：ITT Cannon

連接器樣式：D 型，超微型 D

針腳數(shù)：51

排數(shù)：3

外殼尺寸qqq連接器布局：0.050節(jié)距 x 0.043行到行

觸頭類型：信號

連接器類型：插座，母形插口

安裝類型：自由懸掛

法蘭特性：體座/外殼（無螺紋）

端接：焊杯

特性：屏蔽

外殼材料qqq鍍層：鋁，帶黃色鉻酸鹽鎘鍍層

觸頭鍍層：金

觸頭鍍層厚度：-

侵入防護：-

MDM-51SH027F詳細規(guī)格

類別：D-Sub

描述：MICRO 51POS SKT 3"

系列：Micro D 金屬外殼 (MDM)

制造商：ITT Cannon

第一連接器：

第二連接器：

類型：

針腳數(shù)：51

長度：

屏蔽：

顏色：

應(yīng)用：

觸頭鍍層：金

觸頭鍍層厚度：-

• RNF18FTD1M00

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 1M OHM 1% AXIAL

• SD6CA-004G-000000

  固態(tài)硬盤驅(qū)動器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 4GB

• RNCP0603FTD19K1

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 19.1K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• MDM-51SH025L

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D PLUG 51POS SKT 10" WIRE

• SI4486EY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

• SCD205K162A3Z25-F

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    矩形接線盒    CAP FILM 2UF 1.6KVDC SCREW

• SI7119DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK

• SI3552DV-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP

• SD6CA-012G-000000

  固態(tài)硬盤驅(qū)動器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 12GB

• RNCP0603FTD1K50

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 1.5K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• SI4486EY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

• SCD205K601A3Z25

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    矩形接線盒    CAP FILM 2UF 600VDC SCREW

• SI7119DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK

• SI3588DV-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

• SD6NA-020G-000000

  固態(tài)硬盤驅(qū)動器    SanDisk    -    SSD ULTRA320 SCSI 20GB