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    IRLU120 全國供應商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRLU120NPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:185 毫歐 @ 6A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
    功率_最大:48W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
    供應商設備封裝:I-Pak
    包裝:管件

    IRLU120PBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:100V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7.7A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:270 毫歐 @ 4.6A,5V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
    功率_最大:2.5W
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
    供應商設備封裝:TO-251AA
    包裝:管件

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