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    IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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    IRLR8103 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

    型號:廠商:批號:封裝:
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    IRLR8103TR詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:標(biāo)準(zhǔn)
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:89A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:89W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR8103TRL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:89A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:89W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR8103TRR詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
    系列:-
    制造商:Vishay Siliconix
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:89A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):-
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
    功率_最大:89W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR8103VPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:91A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
    功率_最大:115W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:管件

    IRLR8103VTRL詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:91A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
    功率_最大:115W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR8103VTRLPBF詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
    系列:HEXFET®
    制造商:International Rectifier
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:30V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:91A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 15A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:2672pF @ 16V
    功率_最大:115W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
    包裝:帶卷 (TR)

    IRLR8103供應(yīng)商

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