IRLR3715TR 全國供應商、價格、PDF資料
IRLR3715TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715TRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715TRR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715TRRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 Vishay Siliconix 4-DIP（0.300"，7.62mm） MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 240SEC 28-TSOP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS GP PNP 200V 50MA TO-92
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CROSSBAR 4POS BLACK FOR G2RV SKT
- PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 1.58V SC-70
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SIDACTOR MC BI 58V 400A TO-92
- 配件 SSI Technologies Inc CABLE W/PACKARD CONNECTOR 12"
- FET - 單 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CROSSBAR 4POS BLACK FOR G2RV SKT
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS PNP GP BIPO LP 200V TO-92
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 2-VQFN SIDACTOR BI 77V 400A QFN SMD
- PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 1.67V SC70-3
- 配件 SSI Technologies Inc CABLE W/PACKARD CONNECTOR 24"
- FET - 單 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
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